“SK Hynix为32 GB模块开发16 Gb DDR4芯片”
发布日期：2021-06-02 18:54:01
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sk海力士宣布周一完成了首个单片16 gb芯片的开发。 该芯片使用其第三代10纳米级工艺技术制造。 新的存储设备使企业及其合作伙伴能够制造更高能效和更大容量的dimm，包括面向客户的32 gb无缓冲区和面向企业的高容量缓冲模块。
sk hynix的16 gb芯片是使用该公司第三代10 nm级制造技术(也称为1z nm )制造的，额定ddr4-3200数据传输速度。 据该企业称，与该企业第二代10纳米级(也称为1ynm )工艺生产的基于8 gb dram的相同容量模块相比，这些芯片的功耗降低了40%。
sk hynix的1z nm工艺技术采用了新的物质，与上一代工艺技术相比，能够最大化容量，提高dram器件的稳定性。 采用新化学品是否会转化为其他利益，例如钟表的范围和延迟，还需要注意。 此外，新技术将使每片的生产率提高27%，从而降低新的存储器芯片的生产价格。 制造商强调，其1z纳米工艺不采用极端紫外光刻( euvl )，仍是完整的duv工艺。
除16 gb ddr4芯片外，sk高铁还推出了32 gb非缓冲dimm和so-dimm模块，可以在台式计算机上采用。 虽然目前还不清楚这些模块何时可用，但从逻辑上讲，我们期待着每年16GB的dram设备量产后出现。
该公司计划使用1znm解决方案技术生产各种dram类型，包括商用ddr4存储、lpddr5和hbm3。
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