“科技知识：刻蚀机和光刻机的区别”

现在越来越多的伙伴使用it数字设备，但it数字设备有很多需要注意的地方。 这些绝妙的方法，很多都是不知道实用方法的伙伴。 例如，最近有很多想了解x的伙伴。 那么，因为现在大家对蚀刻机和光刻机的不同很感兴趣，所以编辑给大家分享一些关于蚀刻机和光刻机的不同的新闻吧。 / h/[ p标识=“上下文”]

蚀刻机和光刻机的区别如下。

1、工艺不同:蚀刻器腐蚀硅片上多余的部分，光刻机将图形刻在硅片上。

2、难度不同:光刻机的难度和精度比蚀刻器大。

等离子体蚀刻器也被称为等离子体蚀刻器、等离子体平面、等离子体蚀刻器、等离子体表面解决方案、等离子体清洁系统等。 等离子体蚀刻是干蚀刻中最常见的方式之一，其原理是暴露在电子领域的气体形成等离子体，释放由此产生的电离气体和高能电子组成的气体形成等离子体或离子，电离气体原子被电场加速后，等离子体或离子迅速消失 从某种意义上说，等离子体清洗实质上是等离子体蚀刻比较轻微的情况。 进行干蚀刻的设备包括反应室、电源、真空部分。 工件被真空空泵送入空被吸引的反应室。 气体被导入，与等离子体进行交换。 等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵除去。 等离子体蚀刻工艺实际上是一种反应性等离子体工艺。

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