“Western Digital 推出密度最高、最先进的 BiCS5 3D NAND 技术”
western digital今日( 24 )宣布成功开发第五代3d nand技术bics5，继续提供业界最先进的闪存技术，保持领先地位。 bics5采用三层单元( tlc )和四层单元( qlc )两种架构，以诱人的价格提供优异的容量、性能、稳定性，并通过互联网汽车、移动设备、人工智能迅速增长的数据。
western digital已经开始生产512gb的bics5 tlc，预计年内开始商业化量产，供应采用新技术的高费用产品。 将来，bics5 tlc和bics5 qlc将提供包括1.33tb在内的多种存储容量选择。
western digital的内存技术和制造部门的高级副总裁steve paak博士说:“到了下一个十年，为了应对庞大而迅速增长的数据量诉求，如何增加3d nand容量是关键。 藉由成功开发bics5，western digital展现了业界领先的快闪记忆体技术与强大的计划执行力。 我们利用更先进的多层存储通路技术提高横向存储密度，增加存储层，从而大幅提高3d nand技术的容量和性能，满足了顾客对稳定性和低价位的期望。 “”
采用多种新技术和创新制造技术的bics5是western digital目前密度最高、最先进的3d nand技术。 第二代多层存储通路技术、优化的工程工艺和其他先进的3d nand存储单元技术，大幅提高了晶片的横向存储单元阵列密度。 另外，bics5具有112级垂直堆栈的存储容量，每个晶片的存储容量比96级bics4高40% *，可以达到最佳价格。 新的体系结构旨在提高bics5的性能，并使i/o性能比bics4提高50%。
bics5由western digital和技术制造伙伴kioxia共同开发，由日本三重县四日市和岩手县北上市的合资晶片制造商制造。
bics5是在western digital完备的3d nand技术的基础上开发的技术； 这些技术广泛应用于以数据为中心的个人电子设备、智能手机、物联网设备和数据中心。
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